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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL512N |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Replaced by PTB78560C : |
| 中文描述： | MirrorBit閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 94/110頁 |
| 文件大?。?/td> | 2624K |
| 代理商： | S29GL512N |
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94
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
27631A4 May 13, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Erase and Program Operations–S29GL256N Only
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 80 ns and 90 ns speed options are tested with V
IO
= V
CC
= 3 V.
AC specifications for 90 ns and 100 ns speed options are tested with V
IO
= 1.8 V and V
CC
= 3.0 V.
Parameter
Speed Options
J EDEC
Std.
Description
80
90
90
100
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
80
90
90
100
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle
bit polling
Min
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
μs
Effective Write Buffer Program
Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
15
μs
Accelerated Effective Write Buffer
Program Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
13.5
μs
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
60
μs
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
54
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.0
sec
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time (Note 1)
Min
250
ns
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TFI210 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI313 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI320 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI321 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI322 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL512N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:512M FLASH MEMORY 3V SPI 29GL512 |
| S29GL512N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:512M FLASH MEMORY 3V SPI 29GL512 |
| S29GL512N10TAI01 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL512N10TFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL512N10TFI013 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP T/R |
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