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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL512N |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Replaced by PTB78560C : |
| 中文描述： | MirrorBit閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 104/110頁 |
| 文件大?。?/td> | 2624K |
| 代理商： | S29GL512N |
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104
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
27631A4 May 13, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Erase And Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0 V V
CC
, 10,000 cycles, checkerboard
pattern.
2. Under worst case conditions of 90°C, V
CC
= 3.0 V, 1,000,000 cycles.
3. Effective write buffer specification is based upon a 16-word write buffer operation.
4. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most
words program faster than the maximum program times listed.
5. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
6. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program
command. See Table 17 for further information on command definitions.
TSOP Pin and BGA Package Capacitance
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz.
Parameter
Typ
( Note 1)
Max
( Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
1
3.5
sec
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 5)
Chip Erase Time
S29GL128N
128
256
sec
S29GL256N
256
512
S29GL512N
512
1024
Total Write Buffer Time
(Note 3)
240
μs
Excludes system level
overhead (Note 6)
Total Accelerated Effective
Write Buffer Programming
Time (Note 3)
200
μs
Chip Program Time
S29GL128N
123
sec
S29GL256N
246
S29GL512N
492
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
TSOP
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
TSOP
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
TSOP
7.5
9
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TFI210 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI313 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI320 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI321 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI322 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL512N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:512M FLASH MEMORY 3V SPI 29GL512 |
| S29GL512N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:512M FLASH MEMORY 3V SPI 29GL512 |
| S29GL512N10TAI01 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL512N10TFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL512N10TFI013 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP T/R |
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