- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD38F1010C0ZBL0 (INTEL CORP) CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD38F1010C0ZBL0 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 44/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD38F1010C0ZBL0 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
44
Datasheet
NOTES:
1. Substrateconnectionsrefertoballoutlocationsshownin
Figure1,“66-BallStackedChipScalePackage”on
page 8
.
2. 0.1
μ
fcapacitorsshouldbeusedwithD9,D10,A10andE4.
3. SomeSRAMdevicesdonothaveaS-VSSQ;inthiscase,thispadisaS-VSS.
4. SomeSRAMdevicesdonothaveaS-VSSQ;inthiscase,thispadisaVCC.
7.4
SimultaneousOperation
ThetermsimultaneousoperationinusedtodescribetheabilitytoreadorwritetotheSRAMwhile
alsoprogrammingorerasingflash.Inaddition,F-CE#,S-CS1#andS-CS2shouldnotbeenabledat
thesametime.(See
Table 2,“3VoltIntelAdvanced+BootBlockStacked-CSPBall
Descriptions”onpage 9
forasummaryofrecommendedoperatingmodes.)Simultaneous
operationofthecanbesummarizedbythefollowing:
SRAMread/writeareduringaFlashProgramorEraseOperationareallowed.
SimultaneousBusOperationsbetweentheFlashandSRAMare
not
allowed(becauseofbus
contention).
Figure13.TypicalFlash+SRAMSubstratePowerandGroundConnections
S-V
SSQ
D10
SRAMDIE
FLASHDIE
SUBSTRATE
XX
S-X
F-X
Substrateconnectiontopackageball
SRAMdiebondpadconnection
Flashdiebondpadconnection
S-V
CCQ
S-V
CC
S-V
SS
F-V
PP
F-V
SSQ
F-V
CC
F-V
CCQ
F-V
SS
H8
A9
D9
E4
D3
A10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1604C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD38F1010C0ZTL0 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010W0YBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0YDQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0YTQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0ZBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
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