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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD38F1010C0ZBL0 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD38F1010C0ZBL0 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
28
Datasheet
0645_07
0666_05
NOTE:
C
L
includesjigcapacitance.
Table12. DCCharacteristics
Symbol
Parameter
Device
Note
2.7V–3.3V
Units
TestConditions
Min
Max
V
IL
InputLowVoltage
Flash/
SRAM
–0.2
0.6
V
V
IH
InputHighVoltage
Flash/
SRAM
2.3
V
+0.2
V
V
OL
OutputLowVoltage
Flash/
SRAM
–0.10
0.10
V
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 100μA
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –100μA
CompleteWriteProtection
V
OH
OutputHighVoltage
Flash/
SRAM
V
CC
–
0.1
V
V
PPLK
F-V
PP
Lock-OutVoltage
Flash
1
1.0
V
V
PP1
F-V
PP
duringProgram/Erase
Flash
1
1.65
3.3
V
V
PP2
V
LKO
Operations
1,2
11.4
12.6
V
CC
Prog/EraseLockVoltage
Flash
1.5
V
V
LKO2
V
CCQ
Prog/EraseLockVoltage
Flash
1.2
V
NOTES:
1. EraseandProgramareinhibitedwhenF-V
<V
andnotguaranteedoutsidethevalidF-V
rangesofV
andV
.
2. ApplyingF-V
=11.4V–12.6Vduringprogram/erasecanonlybedoneforamaximumof1000cyclesonthemainblocksand
2500cyclesontheparameterblocks.F-V
pp
maybeconnectedto12Vforatotalof80hoursmaximum.See
Section4.2.1
for
details.
Figure4. Input/OutputReferenceWaveform
NOTE:
ACtestinputsaredrivenatV
foralogic“1”and0.0Vforalogic“0.”Inputtimingbegins,andoutput
timingends,atV
CCQ
/2.Inputriseandfalltimes(10%–90%)<10ns.Worstcasespeedconditionsare
whenV
CCQ
=V
CCQ
Min.
INPUT
OUTPUT
TESTPOINTS
V
CC
0.0
V
CC
2
V
CC
2
Figure5. TestConfiguration
Device
UnderTest
Out
C
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1604C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD38F1010C0ZTL0 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010W0YBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0YDQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0YTQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1010W0ZBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
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