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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F3204W30T85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 22/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F3204W30T85 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
16
Preliminary
The formula t
AVQV
(ns) + t
ADD-DELAY
(ns) + t
DATA
(ns) is also known as initial access time.
Figure 6
shows the data output available and valid after four clocks from ADV# going low in the
first clock period with the LC setting at 3.
4.2.3
WAIT Signal Polarity (WT)
The WAIT signal polarity is set by register bit CR.10 (WT).
When CR.10 = 0, WAIT is active low. A
‘
0
’
on the WAIT signal indicates the
“
asserted
”
state.
Figure 6. Data Output with LC Setting at Code 3
Figure 7. First Access Latency Configuration
A
MAX-0
DQ
15-0
(D/Q)
CLK (C)
CE#
ADV#
R103
Valid
Output
Valid
Output
High Z
t
ADD
t
DATA
2nd
1st
3rd
4th
5th
Valid Address
Code 3
Code 1 (Reserved)
Code 6 (Reserved)
Code 5
Code 4
Code 3
Code 2
Code 0 (Reserved)
Code 7 (Reserved)
Valid
Address
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Address [A]
ADV# [V]
DQ
15-0
[D/Q]
CLK [C]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
DQ
15-0
[D/Q]
FREQCONF.WMF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD30HUF1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F3208C3B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F6408W30B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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