- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD28F3204W30T85 (INTEL CORP) 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | RD28F3204W30T85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 13/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F3204W30T85 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
7
A 32-Mbit device will have eight partitions; a 64-Mbit device will have 16 partitions; a
128-Mbit device will have 32 partitions. Each main block is 32-Kword in size.
The 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O supports CPUs that boot from either the
top or bottom of the flash memory map. A top parameter flash device has the highest addressable
32-Kword block divided into eight smaller blocks. Conversely, a bottom parameter flash device has
the lowest addressable 32-Kword block divided into eight smaller blocks. Each of these eight 4-
Kword blocks are called parameter blocks. Parameter blocks are useful for frequently stored data
variables. Their smaller block size allows them to erase faster than main blocks. Page- and burst-
mode reads are also permitted in all blocks and across all partition boundaries.
It should be mentioned that the SRAM does not adhere to this multi-partition architecture. The
SRAM memory is organized as a single memory array.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD30HUF1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F3208C3B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F6408W30B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。