參數(shù)資料
型號(hào)： PMN34UP
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 V, 5 A P-channel Trench MOSFET
中文描述： 5000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-74, TSOP-6
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大?。?/td> 811K
代理商： PMN34UP
PMN34UP
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Product data sheet
Rev. 1 — 9 May 2011
3 of 15
NXP Semiconductors
PMN34UP
20 V, 5 A P-channel Trench MOSFET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of junction temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of junction temperature
I
DM
= single pulse
(1) t
p
= 100 μs
(2) t
p
= 1 ms
(3) t
p
= 10 ms
(4) DC; T
sp
= 25 °C
(5) t
p
= 100 ms
(6) DC; T
amb
= 25 °C; drain mounting pad 6 cm
2
Safe operating area; junction to ambient; continuous and peak drain currents as a function of drain-source
voltage
Fig 3.
T
j
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
017aaa123
40
80
120
P
der
(%)
0
T
j
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
017aaa124
40
80
120
I
der
(%)
0
017aaa208
–1
–10
–1
–10
–10
2
I
D
(A)
–10
–2
V
DS
(V)
–10
–1
–10
2
–10
–1
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Limit R
DSon
= V
DS
/I
D
(6)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PMN35EN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 5.1A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 5.1A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 5.1A, SOT457; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V ;RoHS Compliant: Yes
PMN35EN,115 功能描述:MOSFET 30 V, 5.1 A N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMN35EN,125 功能描述:MOSFET N-Chan 30V 5.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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