參數(shù)資料
型號(hào): PHT11N06
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述: TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
文件大小: 69K
代理商: PHT11N06
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.17. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
January 1998
7
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHT11N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHT11N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHT6N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHT6N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHT6N06 TrenchMOS transistor Standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHT11N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHT11N06LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHT11N06LT,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHT11N06LT/T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMD UNIVERSAL MOSFET SOT
PHT11N06LTT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | SOT-223