參數(shù)資料
型號(hào)： PHT11N06
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： PHT11N06
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 9 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
sp
); conditions: I
D
= 3.6 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
January 1998
6
Rev 1.100
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PDF描述
PHT11N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHT11N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHT6N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
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