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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHT11N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | PHT11N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
sp
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
sp
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-sp
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+02
3E+01
1E+01
3E+00
1E+00
3E-01
1E-01
3E-02
1E-02
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
BUK9840-55
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
4
3.6
10
5
ID/A
VGS/V =
BUKX840-55
VDS/V
ID/A
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
0.1
1
10
100
0.1
1
10
55
RDS(ON) = VDS/ID
DC
0
5
10
15
20
25
20
30
40
50
60
70
80RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
5
4
3.6
3.4
3.2
3
January 1998
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT11N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT6N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT11N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT11N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT11N06LT,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT11N06LT/T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMD UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHT11N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | SOT-223 |
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