參數(shù)資料
型號： PHN110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 79K
代理商： PHN110
1997 Jun 17
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage; typical values.
Typical V
GSth
at V
DS
=
GS;
I
D
= 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
MBG745
25
75
175
125
75
25
Tj (
o
C)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-resistance; typical values.
Typical R
DSon
at:
(1) I
D
= 2 A; V
GS
= 10 V.
(2) I
D
= 1 A; V
GS
= 4.5 V.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
75
175
125
75
25
Tj (
o
C)
MBG744
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHN205 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHP119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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