參數(shù)資料
型號(hào)： PHN110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： PHN110
1997 Jun 17
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
FEATURES
High-speed switching
No secondary breakdown
Very low on-resistance.
APPLICATIONS
Motor and actuator driver
Power management
Synchronized rectification.
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode MOS transistor in an 8-pin
plastic SOT96-1 (SO8) package.
PINNING - SOT96-1 (SO8)
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
7
8
n.c
s
s
g
d
d
d
d
not connected
source
source
gate
drain
drain
drain
drain
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package.
The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
MAM116
1
4
5
8
s
d
n.c.
g
s
d
d
d
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
SD
V
GS
V
GSth
I
D
R
DSon
P
tot
drain-source voltage (DC)
source-drain diode forward voltage
gate-source voltage (DC)
gate-source threshold voltage
drain current (DC)
drain-source on-state resistance
total power dissipation
1
30
1.2
±
20
2.8
4
0.1
2.8
V
V
V
V
A
W
I
S
= 1.25 A
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°
C
I
D
= 2.2 A; V
GS
= 10 V
T
s
= 80
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHN205 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHP119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PHN15-4.1 制造商:Power-One 功能描述:
PHN203 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel TrenchMOS logic level FET
PHN203 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHN203,518 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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