參數(shù)資料
型號(hào)： PHN110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： PHN110
1997 Jun 17
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
Fig.9
Drain-source on-resistance as a function of
gate-source voltage; typical values.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
VGS (V)
0
MBG846
10
2
10
2
4
6
RDSon
(m
)
8
ID= 100 mA
500 mA
1 A
2 A
4 A
5.4 A
Fig.10 Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
400
200
0
8
16
24
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
C
(pF)
MBG847
Fig.11 Switching time test circuit and input and output waveforms.
handbook, full pagewidth
MBH538
90 %
10 %
10 %
90 %
Vin
Vout
td(on)
ton
toff
tf
tr
td(off)
0
0
VDD
RL
Vout
Vin
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHN205 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHP119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHN110T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO
PHN15-4.1 制造商:Power-One 功能描述:
PHN203 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel TrenchMOS logic level FET
PHN203 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHN203,518 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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