參數(shù)資料
型號： PHM21NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 22.2 A, 150 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大小： 279K
代理商： PHM21NQ15T
Philips Semiconductors
PHM21NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
8 of 13
9397 750 11844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 20 A; V
DD
= 30 V, 75 V, 120 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03al10
0
20
40
60
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VGS = 0 V
03al12
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 20 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 30 V
75 V
120 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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