參數(shù)資料
型號： PHM21NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 22.2 A, 150 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： PHM21NQ15T
Philips Semiconductors
PHM21NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
11 of 13
9397 750 11844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
9.
Revision history
Table 6:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20030911
Description
Product data (9397 750 11844)
Modifications:
Section 3 “Ordering information”
Addition of ordering information.
Section 4 “Limiting values”
Addition of E
DS(AL)S.
Section 4 “Limiting values”
Addition of E
DS(AL)R.
Section 8 “Soldering”
Addition of soldering footprint.
Preliminary data (9397 750 10882); initial version.
-
01
20030130
-
相關PDF資料
PDF描述
PHM25NQ10T TrenchMOS standard level FET
PHN1011 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN1015 N-channel TrenchMOS transistor Logic level
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相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHM21NQ15T,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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PHM25NQ10T,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHM2825DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM2930DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2930DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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