參數(shù)資料
型號(hào)： PHK4NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 4000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, MS-012, SOP-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： PHK4NQ20T
Philips Semiconductors
PHK4NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 January 2003
7 of 12
9397 750 10773
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 11. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz.
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
2
4
6
VGS (V)
max
typ
min
003aaa240
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
(A)
IS
VSD (V)
Tj = 150
°
C
25
°
C
003aaa239
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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