參數(shù)資料
型號(hào)： PHK4NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 4000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, MS-012, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 233K
代理商： PHK4NQ20T
Philips Semiconductors
PHK4NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 January 2003
3 of 12
9397 750 10773
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
Tsp (
°
C)
Pder
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa234
10-2
10-1
1
10
102
10-1
1
10
102
103
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
1 ms
tp = 10 μs
1 s
Limit RDSon = VDS/ID
VDS (V)
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