參數(shù)資料
型號： PHK4NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 4000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, MS-012, SOP-8
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 233K
代理商： PHK4NQ20T
PHK4NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 20 January 2003
Product data
M3D315
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHK4NQ20T in SOT96-1 (SO8).
1.2 Features
I
Low on-state resistance
I
Surface mount package.
1.3 Applications
I
DC-DC primary side switching
I
General purpose switch.
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
V
DS
≤
200 V
I
P
tot
≤
6.25 W
I
I
D
≤
4 A
I
R
DSon
≤
130 m
Table 1:
Pin
1,2,3
4
5,6,7,8
Pinning - SOT96-1, simplified outline and symbol
Description
source (s)
gate (g)
drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT96-1
4
5
1
Top view
8
MBK187
s
d
g
MBB076
相關PDF資料
PDF描述
PHM21NQ15T TrenchMOS standard level FET
PHM25NQ10T TrenchMOS standard level FET
PHN1011 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN1015 N-channel TrenchMOS transistor Logic level
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHK4NQ20T /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHK4NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4A Trans MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHK4NQ20T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8
PHK5NQ10T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHK5NQ15T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*