參數(shù)資料
型號(hào)： PHK4NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 4000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, MS-012, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 233K
代理商： PHK4NQ20T
Philips Semiconductors
PHK4NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 January 2003
2 of 12
9397 750 10773
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
200
200
±
20
4
2.58
16
6.25
+150
+150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
sp
= 100
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
sp
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
sp
= 25
°
C
-
-
4
16
A
A
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PDF描述
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PHM25NQ10T TrenchMOS standard level FET
PHN1011 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
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參數(shù)描述
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