參數(shù)資料
型號(hào)： PHD22NQ20T-01
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： N溝道TrenchMOS？？標(biāo)準(zhǔn)水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
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代理商： PHD22NQ20T-01
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
8 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 15 A; V
DD
= 40 V, 100 V and 160 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ap90
0
5
10
15
20
25
IS
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ap92
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 15 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 40 V
100 V
160 V
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PDF描述
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