參數(shù)資料
型號(hào)： PHD22NQ20T-01
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： N溝道TrenchMOS？？標(biāo)準(zhǔn)水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： PHD22NQ20T-01
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
4 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
5.
Thermal characteristics
5.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
-
Typ
-
75
Max
1.0
-
Unit
K/W
K/W
mounted on a printed-circuit
board; vertical in still air;
SOT428 minimum footprint
mounted on a printed-circuit
board; vertical in still air;
SOT404 minimum footprint
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ap85
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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