參數(shù)資料
型號(hào)： PHD22NQ20T-01
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： N溝道TrenchMOS？？標(biāo)準(zhǔn)水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHD22NQ20T-01
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
6 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ap87
4.4 V
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
VDS (V)
ID
(A)
Tj = 25
°
C
VGS = 3.6 V
10 V
3.8 V
4 V
4.2 V
5 V
03ap89
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 25
°
C
175
°
C
03ap88
0
50
100
150
200
0
5
10
15
20
25
ID (A)
RDSon
(m
)
4.6 V
5 V
VGS = 4.2 V
Tj = 25
°
C
10 V
4.4 V
03al52
0
1
2
3
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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