參數(shù)資料
型號： PHB38N02LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 44.7 A, 20 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： PHB38N02LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD38N02LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 30 June 2003
8 of 13
9397 750 11614
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 10 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03al27
0
5
10
15
20
25
IS
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03al29
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj = 25
°
C
VDD = 10 V
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PDF描述
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