參數(shù)資料
型號(hào)： PHB38N02LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 44.7 A, 20 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： PHB38N02LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD38N02LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 30 June 2003
4 of 13
9397 750 11614
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT428
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
2.6
K/W
SOT428 minimum footprint;
mounted on a PCB
SOT404 minimum footprint;
mounted on a PCB
SOT404 minimum footprint;
mounted on a PCB
-
75
-
K/W
-
50
-
K/W
SOT404
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03al22
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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