參數(shù)資料
型號： PHB38N02LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 44.7 A, 20 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： PHB38N02LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD38N02LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 30 June 2003
7 of 13
9397 750 11614
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 0.25 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03al82
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
max
typ
03an65
10-6
10-5
10-4
10-3
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VGS(V)
ID
(A)
min
max
typ
03al28
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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