參數(shù)資料
型號： PHB38N02LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 44.7 A, 20 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： PHB38N02LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD38N02LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 30 June 2003
6 of 13
9397 750 11614
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03al24
0
10
20
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VDS (V)
ID
(A)
1.8 V
Tj = 25
°
C
VGS = 1.6 V
10 V 5 V 3 V
2.4 V
2.2 V
2 V
2.6 V
03al26
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 25
°
C
175
°
C
03al25
0
10
20
30
0
10
20
30
ID (A)
RDSon
(m
)
2.6 V
Tj = 25
°
C
3 V
10 V
5 V
VGS = 2.4 V
03af18
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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