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型號: | PHB14NQ20T |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | TrenchMOS standard level FET |
中文描述: | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 9/14頁 |
文件大?。?/td> | 269K |
代理商: | PHB14NQ20T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PHD14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
PHP14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
PHB152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHB152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PHB15 | 制造商:Power-One 功能描述: |
PHB152NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
PHB152NQ03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHB152NQ03LTA /T3 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB152NQ03LTA,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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