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參數(shù)資料
| 型號： | PHB14NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHB14NQ20T |
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Rev. 03 — 11 March 2002
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)
PHB14NQ20T in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 packages.
I
Low on-state resistance
I
Fast switching
I
DC to DC converters
I
General purpose switching
I
V
DS
= 200 V
I
R
DSon
≤
230 m
I
I
D
= 14 A
I
P
D
= 125 W
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, SOT404, SOT428, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base,
connected to
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHP14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHB152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB15 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB152NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LTA /T3 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB152NQ03LTA,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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