參數(shù)資料
型號(hào)： PHB14NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： PHB14NQ20T
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
3 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
(%)
Pder
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
1
10
102
103
VDS (V)
1
10
102
103
ID
(A)
RDSon = VDS / ID
DC
tp =
1
μ
s
100 ms
10 ms
1 ms
100
μ
s
10
μ
s
003aaa219
10-1
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