參數(shù)資料
型號(hào)： PHB11N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 10.3 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： PHB11N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB11N06LT, PHD11N06LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
)
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
PHB11N06LT
Qg, Gate charge (nC)
VGS, Gate-Source voltage (Volts)
VDD = 44 V
ID = 11 A
Tj = 25 C
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
Source-drain voltage, VSDS (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
PHB11N06LT
VGS = 0V
Source-drain diode current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
September 1998
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB125N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB125N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB130N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
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參數(shù)描述
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PHB11N50E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB12-101 制造商:Power-One 功能描述:
PHB125N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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