參數(shù)資料
型號: PHB101NQ03LT
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述: 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù): 9/13頁
文件大小: 280K
代理商: PHB101NQ03LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
9 of 13
9397 750 10929
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 14. SOT404 (D
2-
PAK)
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關PDF資料
PDF描述
PHB108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHD108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHB11N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB125N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHB101NQ04T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB101NQ04T,118 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
PHB108NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube