參數(shù)資料
型號： PHB101NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： PHB101NQ03LT
Philips Semiconductors
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
7 of 13
9397 750 10929
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03ai29
0
0.8
1.6
2.4
3.2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03ai28
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
0.8
1.6
2.4
3.2
VGS(V)
typ
max
min
03ai26
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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