參數(shù)資料
型號(hào)： PHB101NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大?。?/td> 280K
代理商： PHB101NQ03LT
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 25 February 2003
Product data
1.
Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHB101NQ03LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD101NQ03LT in SOT428 (D-PAK).
2.
Features
I
Low gate charge
I
Low on-state resistance.
3.
Applications
I
Optimized as a control FET in DC to DC convertors
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT404, SOT428 simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
mounting base,
connected to drain (d)
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHD108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
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PHB108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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