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參數(shù)資料
| 型號： | PHB101NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | PHB101NQ03LT |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 25 February 2003
Document order number: 9397 750 10929
Contents
Philips Semiconductors
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
1
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5
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7.1
8
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Description
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features
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Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Disclaimers
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Trademarks
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB101NQ04T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB101NQ04T,118 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB108NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
| PHB108NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB108NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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