參數資料
型號： PH3230S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 100 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數： 7/12頁
文件大小： 97K
代理商： PH3230S
Philips Semiconductors
PH3230S
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 02 March 2004
7 of 12
9397 750 12756
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
T
j
= 25
°
C
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03al41
0
1
2
3
4
-80
0
80
160
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03al42
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
4
VGS (V)
min
typ
max
03al37
0
40
80
120
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
(S)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VDS > ID X RDSon
03al39
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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參數描述
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