參數(shù)資料
型號(hào)： PCF85103C-2
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： DRAM
英文描述： 256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface
中文描述： 256 × 8位CMOS EEPROM，帶有I2C總線接口
文件頁數(shù)： 10/20頁
文件大?。?/td> 346K
代理商： PCF85103C-2
Philips Semiconductors
PCF85103C-2
256
×
8-bit CMOS EEPROM with I
2
C-bus interface
Product data
Rev. 02 — 09 May 2002
10 of 20
9397 750 09646
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
9.
Limiting values
10. Characteristics
Table 5:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DD
supply voltage
V
i
input voltage on any input pin
I
i
input current on any input pin
I
o
output current
T
stg
storage temperature
T
amb
operating ambient temperature
Limiting values
Conditions
Min
0.3
V
SS
0.8
-
-
65
40
Max
+6.5
+6.5
1
10
+150
+85
Unit
V
V
mA
mA
°
C
°
C
|
Z
i
|
> 500
Table 6:
V
DD
= 2.5 to 6.0 V; V
SS
= 0 V; T
amb
=
40 to +85
°
C; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Supplies
V
DD
supply voltage
I
DDR
supply current read
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.5
-
6.0
V
f
SCL
= 100 kHz
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6.0 V
f
SCL
= 100 kHz
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6.0 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6.0 V
-
-
-
-
60
200
μ
A
μ
A
I
DDW
supply current E/W
-
-
-
-
-
-
-
-
0.6
2.0
3.5
10
mA
mA
μ
A
μ
A
I
DD(stb)
standby supply current
SCL input (pin 6)
V
IL
V
IH
I
LI
f
SCL
C
i
SDA input/output (pin 5)
V
IL
V
IH
V
OL
I
LO
C
i
Data retention time
t
S
LOW level input voltage
HIGH level input voltage
input leakage current
clock input frequency
input capacitance
0.8
0.7V
DD
-
0
-
-
-
-
-
-
0.3V
DD
+6.5
±
1
100
7
V
V
μ
A
kHz
pF
V
I
= V
DD
or V
SS
V
I
= V
SS
LOW level input voltage
HIGH level input voltage
LOW level output voltage
output leakage current
input capacitance
0.8
0.7V
DD
-
-
-
-
-
-
-
-
0.3V
DD
+6.5
0.4
1
7
V
V
V
μ
A
pF
I
OL
= 3 mA; V
DD(min)
V
OH
= V
DD
V
I
= V
SS
data retention time
T
amb
= 55
°
C
10
years
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