參數(shù)資料
型號(hào)： P0120007P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 25萬(wàn)千瓦GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 560K
代理商： P0120007P
Application Circuit : 2110-2170MHz
RF
L1 L2
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-7-
Technical Note
P0120007P
250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Ref. Des.
R1
R2
C1
C2
C3
C4
C5
C6
L1
L2
L3
L4
L5
Value
82
470
0.5pF
0.75pF
0.1μF
0.5pF
6pF
0.1μF
3.3nH
3.3nH
18nH
18nH
2.7nH
Part Number
SUSUMU
RR0816 series
MURATA
GRM18 series
TOKO LL1608
series
C6
R1
L1
C2
R2
L3
C3
C4
L4
C1
L5
C5
L2
in (Rs=50
)
D.U.T
Vg
Vd
RF out (RL=50
)
Z6
Z5
Z7
Z4
Z3
Z2
Z1
KP027J
RF in
RF out
Vg
(-0.7~-2V)
(+8V)
C1
R1
C3
L3
R2
C4C6
L4
C5
L5
Vd
C2
Ref.
Designator
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
All microstrip lines have a line impedance of 50
.
Electrical length
@ 2.1GHz (deg)
5.9
5.44
4.08
13.61
8.62
6.38
3.63
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
Frequency (GHz)
-30
-20
-10
0
10
20
S11
S12
S22
S21
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
P048F048M12AL TRANSF T1/E1 1.41CT:1 EE5 SMD
P048F048M24AL VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P0120008P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國(guó)線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長(zhǎng)度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
P0120CN 5DA4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P0120CN 5DA4 - Tape and Reel
P012-1-010X 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class
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