參數(shù)資料
型號(hào)： P0120007P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 25萬千瓦GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 560K
代理商： P0120007P
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-5-
Technical Note
P0120007P
250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Tc= 25
°C, Vds=8V, Ids=100mA, Pin=-5dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.65
∠
154.2
Pout max : 13.7dBm
: 0.61
∠
92.7
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.68
∠
133.9
IP3 max : 40.4dBm
: 0.37
∠
91.1
Tc=25°C, Vds=8V, Ids=80mA, Pin=-5dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.65
∠
154.2
Pout max : 13.7dBm
: 0.63
∠
94.2
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.68
∠
133.9
IP3 max : 40.55dBm
: 0.54
∠
77.8
25
50
100
-j100
-j50
-j25
+j25
+j50
+j100
13.7
12.45
25
50
100
-j100
-j50
-j25
+j25
+j50
+j100
40.55
38.05
25
50
100
-j100
-j50
-j25
+j25
+j50
+j100
13.7
12.45
25
50
100
-j100
-j50
-j25
+j25
+j50
+j100
40.4
39.15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
P048F048M12AL TRANSF T1/E1 1.41CT:1 EE5 SMD
P048F048M24AL VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module
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參數(shù)描述
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P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國(guó)線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長(zhǎng)度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
P0120CN 5DA4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P0120CN 5DA4 - Tape and Reel
P012-1-010X 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class
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