參數(shù)資料
型號(hào)： P0120007P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 25萬(wàn)千瓦GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無(wú)鉛型）
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大小： 560K
代理商： P0120007P
Typical Characteristics
Technical Note
P0120007P
250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Vgs=0V
-2.0V
6
-1.5V
-1.0V
-0.5V
Vds (V)
400
300
200
100
00
2
4
8
T
Tc (
°C)
3
4
2
1
00
50
100
150
200
D
Transfer Curve
Power Derating Curve
Load-pull Characteristics (Typical Data)
Tc=25°C, Vds=8V
Ids=100mA,
Common Source, Zo=50
(Calibrated to device leads)
0
1
5
2
3
4
5.0
0
0
0
0
0
0
S11
S22
-
1.2GHz
2.4GHz
2.4GHz
1
1
10.0
-
-
-
20
-
30
-
40
-0.2
0
-.4
0
-.
-
1.2GHz
0
45
9
-180
-
S21
S12
1.2GHz
1.2GHz
2.4GHz
0.04
2.0
4.0
6.0
0
0
0.02
0.06
Scale for |S12|
135
-135
-45
2.4GHz
S
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
-2-
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
P048F048M12AL TRANSF T1/E1 1.41CT:1 EE5 SMD
P048F048M24AL VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國(guó)線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長(zhǎng)度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
P0120CN 5DA4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P0120CN 5DA4 - Tape and Reel
P012-1-010X 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class
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