參數(shù)資料
型號(hào)： NTHD2102P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
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代理商： NTHD2102P
NTHD2102P
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2
1
0.1
0.01
10
10
10
4
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1
10
1
10
0.02
Square Wave Pulse Duration (sec)
Duty Cycle = 0.5
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
N
T
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0.1
0.01
10
10
10
4
3
2
1
10
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Duty Cycle = 0.5
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
0.02
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
JA
= 90
°
C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
JA(t)
4. Surface Mounted
t1
t2
PDM
Notes:
t1
t2
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, JunctiontoAmbient
Figure 12. Normalized Thermal Transient Impedance, JunctiontoFoot
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTHD2102PT1 Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
NTHD2102PT1G Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
NTHD4502N Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4502NT1 Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4502NT1G Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
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參數(shù)描述
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NTHD2102PT1G 功能描述:MOSFET -8V -4.6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD2110T 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -12 V, -6.4 A, Single P-Channel +TVS, ChipFET? Package
NTHD2110TT1G 功能描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTHD3100C 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
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