參數(shù)資料
型號： NTHD2102P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： NTHD2102P
NTHD2102P
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
3
2
1
00
2
3
4
1
5
6
7
8
8
6
4
0
2
V
SD
, SourcetoDrain Voltage (V)
S
R
G
, Gate Resistance (Ohms)
t
0
0.40
5
0.50
0.60
0.70
0.90
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
100
10
10
10
100
V
DD
= 10 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
P
50
40
30
20
10
10
103
2
1
10
Time (sec)
1
10
100
600
0
104
1.00
1000
Figure 7. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
Figure 10. Single Pulse Power
Q
g,
Total Gate Charge (nC)
G
D
T
J
= 25
°
C
I
D
= 3.4 A
V
GS
V
DS
Q
T
Q
2
Q
1
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
4
3
2
1
0.80
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PDF描述
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