參數(shù)資料
型號(hào)： NTHD2102P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： NTHD2102P
NTHD2102P
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. OnRegion Characteristics
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
2 V
1.8 V
1.4 V
C
oss
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
j
= 100
°
C
25
°
C
55
°
C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 1.8 V
0.30
0.25
0.15
0.05
0
0
2
4
6
8
3
1800
600
300
0
8
6
4
2
6
8
C
iss
C
rss
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
25
0
T
J
, Junction Temperature (
°
C)
Figure 4. OnResistance Variation vs.
Temperature
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 4.5 V
3.0
0.20
0.10
1500
1200
V
GS
= 2.5 V
V
DS
, DraintoSource Voltage (V)
V
GS
, GatetoSource Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
D
I
D
, Drain Current (A)
V
DS
, DraintoSource Voltage (V)
C
rD
(
rD
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Figure 5. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
Figure 6. Capacitance Variation
2.4 thru 8 V
D
1.6 V
T
J
= 25
°
C
5
7
10000
10
1
0
2
4
6
8
1000
100
V
DS
, DraintoSource Voltage (V)
V
GS
= 0 V
T
J
=
125
°
C
T
j
= 100
°
C
900
0
2
4
C
iss
C
rss
T
J
= 25
°
C
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PDF描述
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