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參數(shù)資料
| 型號： | NANDB9R4N2BZBA5F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| 封裝： | 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-149 |
| 文件頁數(shù)： | 9/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1126K |
| 代理商： | NANDB9R4N2BZBA5F |
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NANDxxxxNx
Description
17/52
Figure 6.
TFBGA128 connections (top view through package)
1.
Only used for DDR.
2.
Only used for the possible second LPSDRAM (NANDBAR3N6).
3.
Ball U16 is the LPSDRAM temperature flag.
4.
All voltage balls must be connected to the power supply (the internal connection is not guaranteed). All ground balls must
be connected to the ground.
AI13682b
H
D
C
B
NC
A
8
7
6
5
4
3
2
1
DQ2
DQ4
G
F
E
DQ6
NC
VDDQD
NC
9
VDDQD
M
L
K
J
VDDQD
DQ10
NC
DQ0
VSS
VDDD
AL
NC
DQ1
VDDF
VSS
CL
NC
VSS
DQ3
VSS
DQ5
DQM0
DQ7
DQ9
VSS
K
DQM1
DQ8
14
13
11
10
12
BA1
A3
BA0
NC
RB
WP
NC
RAS
VSS
NC
A2
A4
NC
CAS
EF
A0
A1
KE
VDDD
KE2
(2)
N
DQ12
VSS
VDDQD
NC
I/O1
I/O3
VSS
I/O5
I/O7
DQ11
DQ13
VDDF
I/O0
I/O2
NC
I/O4
I/O6
NC
A7
A8
A6
A5
I/O11
VSS
I/O9
VDDF
I/O8
I/O10
NC
18
17
16
15
R
P
V
U
T
VDDD
VSS
DQ15
DQ14
VSS
NC
A11
A10
A12
A9
NC
A13
NC
I/O13
I/O15
NC
I/O12
I/O14
TEMP
(3)
VSS
WF
R
WD
LDQS
(1)
UDQS
(1)
ED
ED2
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| NB100LVEP224FAR2G | 100LVE SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 24 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PQFP64 |
| NB14R1521 | 1 ELEMENT, 1521 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NANDBAR3N6AZPC5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8/64MX16 MCP PLASTIC PBF TFBGA 1.8V COMBO - Trays |
| NANDBAR3N8AZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N0AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N0AZBA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NANDBAR4N2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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