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參數(shù)資料
| 型號： | NANDB9R4N2BZBA5F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| 封裝： | 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-149 |
| 文件頁數(shù)： | 29/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1126K |
| 代理商： | NANDB9R4N2BZBA5F |
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NANDxxxxNx
Functional description
35/52
Figure 18.
Functional block diagram for TFBGA128 (NANDBAR3N6) package
AI14288b
BA0-BA1
DQM0
K
DQ0-DQ15
512-Mbit
SDR
VDDQD
VDDD
16
A0-A12
KE
ED
WD
CAS
DQM1
VDDF
NAND flash
memory
EF
WF
AL
R
RB
I/O0-I/O7
CL
WP
RAS
BA0-BA1
DQM0
K
DQ0-DQ15
512-Mbit
SDR
16
VSS
A0-A12
KE
ED
WD
CAS
DQM1
RAS
8
2
13
2
13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| NB100LVEP224FAR2G | 100LVE SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 24 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PQFP64 |
| NB14R1521 | 1 ELEMENT, 1521 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NANDBAR3N6AZPC5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8/64MX16 MCP PLASTIC PBF TFBGA 1.8V COMBO - Trays |
| NANDBAR3N8AZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N0AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N0AZBA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NANDBAR4N2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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