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參數(shù)資料
| 型號： | NANDB9R4N2BZBA5F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| 封裝： | 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-149 |
| 文件頁數(shù)： | 32/52頁 |
| 文件大小： | 1126K |
| 代理商： | NANDB9R4N2BZBA5F |
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Package mechanical
NANDxxxxNx
Table 5.
TFBGA107 10.5 × 13 mm - 10 × 14 active ball array, 0.80 mm pitch,
mechanical data
Symbol
Millimeters
Inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A1.20
0.047
A1
0.25
0.010
A2
0.80
0.031
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.50
10.40
10.60
0.413
0.409
0.417
D1
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
13.00
12.90
13.10
0.512
0.508
0.516
E1
10.40
0.409
e0.80
–
0.031
–
FD
1.65
0.065
FE
1.30
0.051
SD
0.40
0.016
SE
0.40
0.016
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| NB100LVEP224FAR2G | 100LVE SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 24 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PQFP64 |
| NB14R1521 | 1 ELEMENT, 1521 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NANDBAR3N6AZPC5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8/64MX16 MCP PLASTIC PBF TFBGA 1.8V COMBO - Trays |
| NANDBAR3N8AZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N0AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N0AZBA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NANDBAR4N2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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