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參數(shù)資料
| 型號： | NAND128W4A1AZA6T |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PBGA55 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-55 |
| 文件頁數(shù)： | 35/56頁 |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | NAND128W4A1AZA6T |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
40/56
Figure 29. Read Status Register AC Waveform
Figure 30. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: Refer to Table 12. for the values of the Manufacturer and Device Codes.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08032
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
Manufacturer and
Device Codes
ai08039b
(Read ES Access time)
tALLRL1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W4A3AN6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A1AV6 | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3M0BZBE | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| NAND512W3A2SN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48 |
| NAND99R3M2AZBB5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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