- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄189003 > NAND04GR4B2CN1F (NUMONYX) 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND04GR4B2CN1F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 887K |
| 代理商： | NAND04GR4B2CN1F |
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NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
56/57
REVISION HISTORY
Table 30. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
25-Feb-2005
1
First Issue
16-Aug-2005
2
Automatic Page 0 Read feature removed throughout document.
LFBGA63 package removed throughout document.
tics Measurement added.
TFBGA63 and VFBGA63 packages updated. Note added to Figure 4., TSOP48
the USOP package.
18-Oct-2005
3
512 device and USOP package removed throughout document.
Figure 4., Figure 5., Table 22., Table 23. and Copy Back Program modified.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2CZL1F | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GR4B2DWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR4B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR4B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GW3B2AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays |
| NAND04GW3B2BE06 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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