參數(shù)資料
型號： NAND04GR4B2CN1F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 36/57頁
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代理商： NAND04GR4B2CN1F
41/57
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 23. DC Characteristics, 3V Devices
Note: 1. leakage current and standby current double in stacked devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
15
30
mA
IDD2
Program
-
15
30
mA
IDD3
Erase
-
15
30
mA
IDD4
Standby current (TTL)(1)
E=VIH, WP=0/VDD
1
mA
IDD5
Standby Current (CMOS)(1)
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current(1)
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current(1)
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
VDD+0.8
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
VDD+0.2
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.7
V
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PDF描述
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NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
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參數(shù)描述
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