參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GR4B2CN1F
廠(chǎng)商： NUMONYX
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 41/57頁(yè)
文件大?。?/td> 887K
代理商： NAND04GR4B2CN1F
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
46/57
Figure 28. Read Status Register AC Waveform
Figure 29. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: 1. Refer to Table 14. for the values of the Manufacturer and Device Codes, and to Table 15. for the information contained in Byte4.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h/ 72h/
73h/ 74h/ 75h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08666
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667
(Read ES Access time)
tALLRL1
00h
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR4B2DWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR4B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR4B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GW3B2AN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays
NAND04GW3B2BE06 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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