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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR4B2BZA1F |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 41/63頁 |
| 文件大小： | 684K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BZA1F |
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DC And AC parameters
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
46/63
Table 24.
AC Characteristics for Command, Address, Data Input
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
1.8V
Devices
3V
Devices
Unit
tALLWH
tALS
Address Latch Low to Write Enable High
AL Setup time
Min
25
15
ns
tALHWH
Address Latch High to Write Enable High
tCLHWH
tCLS
Command Latch High to Write Enable
High
CL Setup time
Min
25
15
ns
tCLLWH
Command Latch Low to Write Enable
High
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
15
ns
tELWH
tCS
Chip Enable Low to Write Enable High
E Setup time
Min
35
20
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL Hold time
Min
10
5
ns
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch
High
CL hold time
Min
10
5
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch
Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
5
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E Hold time
Min
10
5
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High Hold
time
Min
15
10
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W Pulse Width
Min
25
15
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time
Min
45
30
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GR4B3AZB6 | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND256W4A2AZA6E | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55 |
| NCP303LSN41T1 | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| NCS6416DWG | 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20 |
| NCS6S4803L5C | 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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